This paper proposes a 2.4 GHz active mixer without passive inductor for the transceiver system. Taking into account the design requirements of the mixer, a double-balanced down-conversion structure with active inductor and negative resistance is designed. The proposed mixer with 130 nm CMOS technology is designed and simulated using Cadence software at 1.5 V supply voltage. Although we had to compromise conversion Gain with linearity, we were able to achieve very High conversion Gain with average linearity. Based on the results of post-layout simulations, the conversion Gain of 27.57 dB, IIP3 equal to -7.88 dBm, 1-dB compression point equal to -17.34 dBm and IIP2 equal to 44.22 dBm with power consumption of 2.5 mW was obtained for the proposed mixer. The chip size without input and output pads is 95.18 µm × 117.68 µm, which leads to a chip area of 0.0112mm2.

High Gain Balun-low-noise-amplifier (LNA) is proposed for tuner of digital televisions (DTVs). The proposed Balun-LNA is based on CS-CG (common-source-common-gate) structure. To improve the isolasion and frequency response, Balun-LNA has cascode transistors before load resistors. Balun-LNA uses current-bleeding circuit to increasie transconductance of CS transistor, so that current-bleeding transistor has transconductance of N-1 times larger than transconductance of cascode transistor. Thereby, transconductance and current of CS transistor are increased N times, as N-1 times of current pass to current-bleeding transistor. Therefore current of CG and CS stages stay identical. Also, Balun-LNA employs a positive feedback to satisfy input impedance matching and CG transistor has Higher transconductance. By increasing transconductance of CS and CG transistors, the proposed Balun-LNA achieves to High voltage Gain. Accordingly, CG and CS tansistors have symmetrical currents and loads at the differential output of the proposed Balun-LNA. Symmetrical loads cause the balanced differential outputs. This proposed Balun-LNA is designed in 90-nm CMOS technology and covers the frequency range of 40 MHz to 1GHz. This Balun-LNA achieves the voltage Gain of 22.6 dB, S11 of less than -10 dB and the Minimum NF of 5 dB. This Balun-LNA operates at the nominal supply voltage of 2.2v.

This paper presents a Transimpedance Amplifier (TIA) for High sensitivity Near Infrared Spectroscopy (NIRS). The proposed TIA is based on the Regulated Cascode (RGC) structure with an extra transistor employed to implement additional feed-forward path and achieve Higher Gain values. The extra transistor senses a partially amplified input signal, available in the conventional circuit, and conveys an additional ac current into the load, which provides a Higher Gain. In addition, a bandwidth extension method is introduced using a capacitor and resistor, which can improve amplifier’s bandwidth by 40%. The proposed TIA is designed in 0.18µm CMOS technology and achieves a transimpedance Gain of 101.9dB with a -3dB bandwidth of 91.2 MHz considering 2pF of photodiode capacitance at the TIA input. The input referred noise is 4.4pA/√Hz while dissipating 151µW power.

A High-Gain, fully balanced preamplifier is presented. The proposed structure advantages flipped voltage follower scheme to achieve a compact current conveyor with very low input impedance. The presented current conveyor then is used as a core element to realize a High-Gain, gm-enhanced trans-conductance amplifier. The presented amplifier is suitable for application as a preamplifier. The High Gain of amplifier makes it very suitable to be configured in a feedback form to deliver a High-precision predefined or programmable amplification Gain. The proposed structure draws a very low power of 150nW from a 0.6V supply voltage. The Spectre Post-layout simulations with TSMC 180nm CMOS technology have been performed. The proposed amplifier exhibits an open-loop DC Gain of 141.5dB and 3-dB frequency bandwidth of 2.4kHz at 60dB closed-loop configuration. The load capacitance is set to be 5pF. The proposed structure also delivers High CMRR and PSRR values of 148.3dB and 153.7dB, respectively.

در این مقاله، آنتنی آرایه بازتابی معرفی می شود که علاوه بر تامین بهره بالا، هزینه ساخت آن اندک است. این آنتن نیازی به رادوم ندارد. عایق استفاده شده در این آنتن، FR4 بوده که قیمت آن کم و مقاومت مکانیکی آن زیاد است. پیکربندی آنتن پیشنهادی چنان است که FR4 با فاصله ای هوایی از صفحه زمین قرار گرفته و عناصر بازتشعشع کننده بر سطح داخلی آن قرار دارند. برتری آنتن پیشنهادی بر طرح مشابهی که پیش تر معرفی شده، به اثبات رسیده است. برای طرح پیشنهادی، تحلیل حساسیت مشخصه تاخیر فاز، تعداد عناصر و بهره نسبت به ضخامت FR4 انجام شده است. همچنین، تاثیر خطای ساخت عایق و فاصله هوایی بر بهره آنتن بررسی شده است.

به طور کلی ساخت فیلترهای کلید خازنی و مدارهای CMOS زمان پیوسته با پهنای باند بهره واحد مناسب، بهره DC زیاد و ضریب کیفیت بالا، از چالش های اساسی در طراحی مدارهای مجتمع خطی است. در این مقاله یک توپولوژی نوین بر مبنای فیدبک مثبت جهت طراحی هسته یک تقویت کننده عملیاتی ارایه شده و یک نمونه تقویت کننده عملیاتی بر این مبنا و با تنظیم مناسب پارامترهای ساخت، طراحی شده است. نتایج شبیه سازی های متعدد انجام شده در حوزه فرکانس و زمان نشان می دهد که پهنای باند بهره واحد تقویت کننده عملیاتی طراحی شده، بیش از 1.4 GHz و بهره DC آن بیش از 108 دسی بل می باشد که نسبت به طراحی های مشابه انجام شده بر مبنای فیدبک مثبت، افزایش بسیار زیاد پهنای باند بهره واحد (بیش از (1.1 GHz و افزایش مناسب بهره DC (بیش از 5 دسی بل) را نشان می دهد. حاشیه فاز تقویت کننده عملیاتی طراحی شده، بیش از 170 درجه بوده که نشان از پایداری مناسب آن می باشد و علاوه بر این، بررسی خروجی طرح پیشنهادی در حوزه زمان نیز پایداری آن را نشان می دهد.